固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，并为负载提供直流电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。从而简化了 SSR 设计。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以支持高频功率控制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。